MXT7660電荷泵反轉(zhuǎn)器
發(fā)布時(shí)間：
2014-06-04
MXT7660電荷泵反轉(zhuǎn)器采用成熟的高壓AL柵CMOS工藝制成。該器件只需兩個(gè)外接電容就能將輸入+2.5V～+10V的電壓轉(zhuǎn)換成-2.5V～-10V的輸出電壓。不需要電感，降低了損耗及電磁干擾。電路由穩(wěn)壓器、RC振蕩器、電平轉(zhuǎn)換電路及MOS功率管等組成。
一．概述
MXT7660電荷泵反轉(zhuǎn)器采用成熟的高壓AL柵CMOS工藝制成。該器件只需兩個(gè)外接電容就能將輸入+2.5V～+10V的電壓轉(zhuǎn)換成-2.5V～-10V的輸出電壓。不需要電感，降低了損耗及電磁干擾。電路由穩(wěn)壓器、RC振蕩器、電平轉(zhuǎn)換電路及MOS功率管等組成。當(dāng)供電電壓為5V、7#端開路時(shí)，內(nèi)部本振頻率為10Kz。MXT7660用于LCD顯示驅(qū)動(dòng)、RS232負(fù)電源供電、數(shù)據(jù)采集和儀表放大器負(fù)電源供電。其主要特點(diǎn)如下：
+5V轉(zhuǎn)為±5V供電輸入電壓范圍寬：2.5V～10V
電壓轉(zhuǎn)換效率高：99.9%（典型值）電源轉(zhuǎn)換效率高：98%（典型值）
低功耗：Is≤40uA(+5V供電)外圍元件少、便于使用
靜電擊穿電壓高：≥3KV高電壓工作時(shí)、無需接Dx二級(jí)管
黑瓷SO-8封裝形式更適合軍品高可靠性和高組裝密度的要求
二．電原理圖
三．封裝形式及引出端功能
1．封裝形式
采用TO-08金屬全密封封裝、D08S2陶瓷雙列封裝和SO-08黑瓷微封裝。
（TO-08?頂視圖）（D08S2?頂視圖）（SO-08?頂視圖）
2．引出端功能
引腳號(hào)1 2 3 4 5 6 7 8
符號(hào)NC C+GND C-OUT LV OSC V+
功能空外接電容正極地外接電容負(fù)極輸出低電壓選擇振蕩電容輸入電壓
四．絕對(duì)最大額定值
電源電壓+10.5V輸出短路持續(xù)周期不限制（V+≤5.5V）
存儲(chǔ)溫度-65℃～+150℃工作溫度范圍-55℃～+125℃
功耗500mW(SO-8)LV和OSC端輸入電壓-0.3V～V++0.3V(V+≤5.5V）
730mW(TO-8/D08S2)V+-5.5V～V++0.3V(V+>5.5V）
五．電特性
除非另有說明：V+=+5V,OSC=NC,TA=+25℃
參數(shù)名稱符號(hào)測(cè)試條件規(guī)范值單位
最小值典型值最大值
靜態(tài)電流IS RL=∞40 1 uA
輸入高電壓V+H LV=NC 3.5 10 V
輸入低電壓V+L LV=0V 2.5 3.5 V
輸出電阻Rout Iout=20mA 70Ω
Iout=5mA,V+=3V 120
振蕩頻率FOSC 10 KHz
電源效率PEFF RL=5KΩ95 98%
轉(zhuǎn)換精度VOEFF RL=∞98 99.9%
六．典型應(yīng)用
1．正電壓轉(zhuǎn)負(fù)電壓應(yīng)用2．+5V產(chǎn)生-10V應(yīng)用
注：V+≥3.5V時(shí)，K斷開；V+<3.5V時(shí)，K閉合。注：這種情況下輸出阻抗為兩個(gè)器件阻抗的總和。
七．應(yīng)有說明
1．輸入電壓不能高于最大額定值。
2．輸入電壓高于3.5V時(shí)，LV端不能接地。
3．輸入電壓高于5.5V時(shí)，輸出端不能長時(shí)間對(duì)地短路。
4．嚴(yán)格按應(yīng)用圖區(qū)分電容正負(fù)極性，不能接反。
5．如果供該器件電源的源阻抗較大時(shí)（25Ω-30Ω），需要在8端對(duì)地接一2.2uF的電容。
6．輸出電壓≥0V時(shí)會(huì)造成器件閂鎖，使器件失效，為防止該情況發(fā)生，可在輸出端對(duì)地接入一個(gè)1N914二極管（陽極接5#端，陰極接3#端）。
7．TA=+125℃，對(duì)器件的輸出電流要進(jìn)行降額設(shè)計(jì)。
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